一种半导体硅片表面清洗机构
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体硅片表面清洗机构，至少依次具有预清洗单元和酸洗单元；其中，在所述预清洗单元和所述酸洗单元之间还依次具有预酸洗单元和碱洗单元，所述预酸洗单元靠近所述预清洗单元设置；所述预酸洗单元、所述碱洗单元和所述酸洗单元之后分别设有清洗槽；或所述预酸洗单元和所述酸洗单元之后分别设有所述清洗槽。本实用新型可在不破坏硅片表面特性及电特性的前提下，有效地降低硅片表面脏花率，并将残留在硅片上的微尘、金属离子、有机物及其它杂质一同去掉，提高清洗效率，保证清洗质量。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体硅片表面清洗机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020774497.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-12
授权号 ：
CN211929444U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
常雪岩武卫刘园刘建伟祝斌刘姣龙裴坤羽袁祥龙孙晨光王彦君王聚安由佰玲杨春雪谢艳刘秒吕莹徐荣清
申请人 ：
天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202020774497.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02 B08B3/08 B08B3/10 B08B3/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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