一种硅片清洗机构
授权
摘要
本实用新型提供一种硅片清洗机构，依次包括预清洗单元、药液清洗单元、一次漂洗单元、化学液漂洗单元、二次漂洗单元和满提拉单元，其中，所述预清洗单元、所述一次漂洗单元、所述二次漂洗单元和所述满提拉单元中均至少设有一个纯水槽；所述药液清洗单元设有若干一号药液槽；所述化学液漂洗单元至少设有一个二号药液槽；所述药液清洗单元和化学液漂洗单元一起或与所述预清洗单元、一次漂洗单元、所述二次漂洗单元和所述满提拉单元一起同步进行补液或换液。本实用新型提出的清洗机构，可根据需要进行换补液，清洗效果好，清洗质量高，不仅增加了换液清洗硅片数量，而且还减少了换液次数，提高产品产能，节约成本。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片清洗机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020611878.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
CN211957603U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
古元甲史丹梅田志民郝红月孙毅马淑芳
申请人 ：
天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202020611878.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L31/18 B08B3/08 B08B3/10 B08B3/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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