半导体硅片的清洗装置
专利权的终止
摘要
本实用新型提供一种半导体硅片的清洗装置,包括清洗水槽和承载硅片的托架,其中,该装置还包括一个机械悬臂,该机械悬臂上设有至少一个超声波振荡发生器,其中,该机械悬臂可以伸入清洗水槽内运动,设在机械臂上的超生波振荡发生器在运动过程中提供超生波能量。与现有技术相比,安装在机械悬臂上的超声波振荡器,可以随着机械悬臂的运动产生均匀的超生波能量,有效提高硅片表面超生波能量的均匀性,从而更好地去除硅片表面的微小颗粒,同时也减少由超生波能量不均造成硅片的损伤。本实用新型不仅可以有效提高生产效率,同时也不会带来过多额外的成本,并适用于业界广泛使用的清洗设备。
基本信息
专利标题 :
半导体硅片的清洗装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620049445.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-12-22
授权号 :
CN200997395Y
授权日 :
2007-12-26
发明人 :
张晨骋
申请人 :
上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 :
201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区
代理机构 :
上海智信专利代理有限公司
代理人 :
王洁
优先权 :
CN200620049445.X
主分类号 :
H01L21/30
IPC分类号 :
H01L21/30 B08B3/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
2017-01-25 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101700189233
IPC(主分类) : H01L 21/30
专利号 : ZL200620049445X
申请日 : 20061222
授权公告日 : 20071226
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101700189233
IPC(主分类) : H01L 21/30
专利号 : ZL200620049445X
申请日 : 20061222
授权公告日 : 20071226
终止日期 : 无
2007-12-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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