半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法
公开
摘要
本发明公开了一种半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法，该半导体制造设备包括反应腔室、载台和喷头组件，载台设置在反应腔室中，载台用于承载晶圆；喷头组件也设置在反应腔室中，且喷头组件设置在载台的上方，喷头组件包括第一喷头和第二喷头，第二喷头环设在第一喷头的外围，第一喷头用于喷洒反应气体，第二喷头用于在晶圆卸载过程中对晶圆进行吹扫。本发明公开的半导体制造设备中，第二喷头在晶圆的卸载过程中吹扫晶圆的表面，从而能够减少或去除污染物颗粒，避免污染物颗粒影响产品良率以及避免污染物颗粒对设备造成交叉污染。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628274A
申请号 ：
CN202011440008.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐官基白国斌高建峰王桂磊田光辉丁云凌
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晶
优先权 ：
CN202011440008.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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