用于半导体器件的钝化层及其制造方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体器件，包括超厚金属(UTM)结构。半导体器件包括钝化层，钝化层包括第一钝化氧化物。第一钝化氧化物包括非偏置膜和第一偏置膜，其中非偏置膜在超厚金属结构的部分的上方且在超厚金属结构形成于其上的层的部分的上方，且第一偏置膜在非偏置膜上。钝化层包括由第二偏置膜组成的第二钝化氧化物，第二偏置膜在第一偏置膜上。钝化层包括由第三偏置膜组成的第三钝化氧化物，第三偏置膜在第二偏置膜上。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体器件的钝化层及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551370A
申请号 ：
CN202110376709.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-04-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘力群王俊棠王志弘李庆峰叶玉隆
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110376709.1
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/29 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20210408
申请日 : 20210408
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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