非晶硅－晶体硅异质结太阳电池
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种非晶硅－晶体硅异质结太阳电池的结构，在太阳电池受光面电极与N型硅扩散层间还包括有一层非晶硅薄膜层；该非晶硅薄膜层与N型硅扩散层形成异质高低结结构。本发明利用不同性质半导体材料不同的光吸收特性和半导体异质结带来的二维电子气效应，达到了比普通的晶体硅太阳电池更高光电转换效率；比普通非晶硅太阳电池更好的长期使用稳定性和更高的光电转换效率；以及比单纯的非晶硅－单晶硅异质结太阳电池具有更低的串联电阻，更易于得到较高的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
非晶硅－晶体硅异质结太阳电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101043058A
申请号 ：
CN200610024876.5
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
袁晓李涛勇
申请人 ：
上海太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
201108上海市莘庄工业区申南路555号
代理机构 ：
上海航天局专利中心
代理人 ：
金家山
优先权 ：
CN200610024876.5
主分类号 ：
H01L31/042
IPC分类号 ：
H01L31/042 H01L31/072 H01L31/0376
相关图片
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-06-18 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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