非晶硅光位置敏感器件
授权
摘要
本发明属半导体非晶硅光位置敏感器件。它是利用非晶硅材料的单质结或异质结的横向光生伏特效应制成的可测量光点位置信息的新型器件。由于本光位置敏感器件制造工艺简单，输出光敏信号较大，对位置控制、目标跟踪及计算机方面的应用具有广阔的前景。
基本信息
专利标题 ：
非晶硅光位置敏感器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1031779A
申请号 ：
CN87105565.1
公开（公告）日 ：
1989-03-15
申请日 ：
1987-08-12
授权号 ：
CN1003901B
授权日 ：
1989-04-12
发明人 ：
苏子敏彭少麒
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市新港西路
代理机构 ：
中山大学专利事务所
代理人 ：
叶贤京
优先权 ：
CN87105565.1
主分类号 ：
H01L31/00
IPC分类号 ：
H01L31/00
法律状态
1990-01-03 ：
授权
1989-04-12 ：
审定
1989-03-15 ：
公开
1988-03-02 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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