漂移型非晶硅光电阴极
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
漂移型非晶硅光电阴极是在基片1上涂复透明导电膜2，在透明导电膜2上沉积n型和p型非晶硅膜，在P型非晶硅膜4上蒸涂铝或银膜，在铝或银膜5上复盖铯氧敏化层。本发明量子效率容易超过扩散型非晶硅光电阻极两个数量级，可用在光电倍增管，象增强管等光电器件中。
基本信息
专利标题 ：
漂移型非晶硅光电阴极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1061678A
申请号 ：
CN90109222.3
公开（公告）日 ：
1992-06-03
申请日 ：
1990-11-19
授权号 ：
CN1024234C
授权日 ：
1994-04-13
发明人 ：
海宇涵陈远星臧宝翠
申请人 ：
中国科学院电子学研究所
申请人地址 ：
100080北京市中关村路17号
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
戎志敏
优先权 ：
CN90109222.3
主分类号 ：
H01J1/34
IPC分类号 ：
H01J1/34 H01J40/16
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/34
光电发射阴极
法律状态
1996-01-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-04-13 ：
授权
1992-09-02 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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