本实用新型公开了一种双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器，渐变形探测器单元正面和渐变形探测器单元背面位于高阻硅基底相对的两平面上；渐变形探测器单元正面包括第一渐变式P+阴极螺旋环和嵌于其内的N+收集阳极，第一渐变式P+阴极螺旋环由正面圆形区域、正面渐变区域和正面方形区域组成；渐变形探测器单元背面包括第二渐变式P+阴极螺旋环，第二渐变式P+阴极螺旋环由背面圆形区域、背面渐变区域和背面方形区域组成；第二渐变式P+阴极螺旋环中心设有中间电极。正面渐变区域和背面渐变区域均由圆形渐变为方形，且两者方形四角指向圆形的区域相邻两P+阴极螺旋环间设有弧长渐变的悬浮中间电极。减小了探测器阵列的死区面积。