方形螺旋硅漂移探测器
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种方形螺旋硅漂移探测器,包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片,方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布,且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽,正面保护环环绕螺旋阴极分布;基片反面设有反面电极、入射窗口和反面保护环,入射窗口和反面电极紧密相连且均位于反面保护环内,反面电极极性为阴极。方形螺旋阴极的宽度范围为10~40μm,正面保护环的圈数为3圈。n+收集阳极与螺旋阴极掺杂类型相反,但掺杂浓度数量级相同,反面电极与方形螺旋形电极的掺杂类型和掺杂浓度数量级均相同,基片与n+收集阳极的掺杂类型相同。n+收集阳极为掺杂硼硅,方形螺旋阴极为掺杂磷硅。

基本信息
专利标题 :
方形螺旋硅漂移探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920424776.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-01
授权号 :
CN209896073U
授权日 :
2020-01-03
发明人 :
李正唐立鹏
申请人 :
湖南正芯微电子探测器有限公司
申请人地址 :
湖南省湘潭市高新区双拥路9号创新创业园C区10栋4楼
代理机构 :
长沙新裕知识产权代理有限公司
代理人 :
周跃仁
优先权 :
CN201920424776.4
主分类号 :
H01L31/0352
IPC分类号 :
H01L31/0352  H01L31/115  H01L31/18  
法律状态
2022-04-15 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 31/0352
登记生效日 : 20220401
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 湖南脉探芯半导体科技有限公司
变更后权利人 : 湖南正芯微电子探测器有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 410205 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1689号综合楼101三楼310办公室
变更后权利人 : 411104 湖南省湘潭市高新区双拥路9号创新创业园C区10栋4楼
2022-02-25 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 31/0352
登记生效日 : 20220214
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 湖南正芯微电子探测器有限公司
变更后权利人 : 湖南脉探芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 411000 湖南省湘潭市高新区双拥路9号创新创业园C区10栋4楼
变更后权利人 : 410205 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1689号综合楼101三楼310办公室
2020-01-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
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