硅漂移探测器的制备方法
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摘要
本说明书提供一种硅漂移探测器的制备方法，包括沉积步骤；所述沉积步骤包括：以四氟化锗、高阶硅烷和掺杂剂硅烷作为反应气体，采用化学气相沉积工艺在具有钝化膜的硅衬底上沉积重掺杂锗薄膜，使重掺杂锗薄膜在硅衬底的对应区域形成功能区。因为高阶硅烷能够在较低温情况下被激活而与四氟化锗反应，所以在锗薄膜形成过程中可以采用低温工艺，而低温工艺可以避免扩散工艺和离散注入工艺中的高温对硅衬底的损伤，有利于获得较高的体寿命，提高硅漂移探测器的能量分辨率。
基本信息
专利标题 ：
硅漂移探测器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111525002A
申请号 ：
CN202010544828.9
公开（公告）日 ：
2020-08-11
申请日 ：
2020-06-15
授权号 ：
CN111525002B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
陶科贾锐姜帅刘新宇金智张立军王冠鹰欧阳晓平
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张通
优先权 ：
CN202010544828.9
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/118 H01L31/028
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20200615
申请日 : 20200615
2020-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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