光电探测器及其制备方法
公开
摘要
一种光电探测器，包括：衬底；电极层，形成在衬底上，包括两个叉指单元，两个叉指单元的多个叉指相向延伸并互相绝缘；以及微米层，覆盖多个叉指单元的多个叉指，叉指单元的叉指与微米层之间基于范德华力结合。范德华力消除了金属电极层和纳米层界面处化学无序、高缺陷态的缺点，避免了费米能级钉扎效应，降低了暗电流，改善了光提取和光电流的收集。
基本信息
专利标题 ：
光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597268A
申请号 ：
CN202210217955.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈国震李营田越杨雅茜陈娣
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张博
优先权 ：
CN202210217955.7
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/0352 H01L31/032 H01L31/0392 H01L31/09 H01L31/18
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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