光电探测器及其制备方法、射线探测装置
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供一种光电探测器及其制备方法、射线探测装置。涉及光电转换技术领域。主要用于提升光电探测器的光电转换量子效率，以及使用可靠性。该光电探测器包括：半导体衬底、抗反射膜层、介质层、第一电极和第二电极、钝化层；半导体衬底具有相对的第一面和第二面，第一面形成有第一掺杂区和第二掺杂区；抗反射膜层形成在第一面上，抗反射膜层的与第一掺杂区相对的至少部分区域形成光敏区；介质层形成在抗反射膜层的远离半导体衬底的一侧；第一电极和第二电极均形成在介质层的远离抗反射膜层的一侧；第一导电通道和第二导电通道均贯穿介质层；介质层的表面上形成有钝化层，钝化层形成有镂空区，且镂空区贯通至光敏区，以使得光敏区露出。
基本信息
专利标题 ：
光电探测器及其制备方法、射线探测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284305A
申请号 ：
CN202111485332.X
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘广元祁春超
申请人 ：
杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区阡陌路555号
代理机构 ：
北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人 ：
申健
优先权 ：
CN202111485332.X
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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