一种位置探测器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种位置探测器及其制备方法，所述位置探测器包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层中的顶部区域的光敏层和环绕所述光敏层的边框掺杂层，所述边框掺杂层和所述光敏层的导电类型相同，所述边框掺杂层的掺杂浓度大于所述光敏层的掺杂浓度；位于所述边框掺杂层外侧的半导体衬底层上的加热件，所述加热件适于对所述边框掺杂层进行加热。本发明的位置探测器在探测面积较大的情况下兼顾实现可调整的高分辨率。
基本信息
专利标题 ：
一种位置探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335206A
申请号 ：
CN202111638595.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙思维盛宇刘丰满曹立强肖克来提
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
董越
优先权 ：
CN202111638595.X
主分类号 ：
H01L31/024
IPC分类号 ：
H01L31/024 H01L31/101 H01L31/18 G01B11/00
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/024
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
