位置灵敏硅光电倍增探测器
授权
摘要
本实用新型涉及一种位置灵敏的硅光电倍增探测器，该硅光电倍增探测器包括：探测器主体，其包括由多个APD单元集成在硅外延片上形成的APD阵列，每个APD单元串联一个雪崩淬灭电阻；正面电极，位于探测器主体正面的表面，其包括环绕APD阵列的封闭的金属条以及设置于金属条的多个特定位置的、与金属条连接的多个金属引出电极，该多个预定位置为金属条上的对称位置，金属条和多个金属引出电极形成封闭的金属电极结构；背面电极，其位于探测器主体背面硅衬底的外侧；所有APD单元的表面由均匀连续的重掺杂硅电阻层连接，正面电极的金属条形成在硅电阻层边缘的重掺杂区的表面且与重掺杂区接触并环绕APD阵列。本实用新型具有响应线性度高、畸变程度小的优点。
基本信息
专利标题 ：
位置灵敏硅光电倍增探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021246092.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN212907740U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
韩德俊彭彧
申请人 ：
北京师范大学
申请人地址 ：
北京市西城区新街口外大街19号
代理机构 ：
北京金咨知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋教花
优先权 ：
CN202021246092.9
主分类号 ：
H01L27/144
IPC分类号 ：
H01L27/144 H01L31/107 H01L31/0224
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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