量子点光电探测器及其制备方法
授权
摘要
本发明属于光电探测器技术领域，尤其涉及一种量子点光电探测器，包括相对设置的N型半导体层和P型半导体层，以及设置在所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的量子点层，所述P型半导体层包括复合金属氧化物，所述复合金属氧化物的分子式为An‑1BnO3n‑3，其中，A选自金属元素中的任意一种，B选自过渡金属元素中的任意一种，n≥3；所述N型半导体层包括钙钛矿材料。本发明光电探测器包括钙钛矿材料、量子点和复合金属氧化物的P/N结构量子点光电探测器，光响应范围广，可检测200～800nm波长的光信号，灵敏度高，且无需外加电场驱动即可实现对光信号的检测，应用方便灵活。
基本信息
专利标题 ：
量子点光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113054049A
申请号 ：
CN201911383363.7
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2019-12-28
授权号 ：
CN113054049B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
邓承雨芦子哲
申请人 ：
TCL集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
曹柳
优先权 ：
CN201911383363.7
主分类号 ：
H01L31/109
IPC分类号 ：
H01L31/109 H01L31/0336 H01L31/18
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2022-03-29 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 31/109
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/109
申请日 : 20191228
申请日 : 20191228
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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