CdSe量子点的制备方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种制备CdSe量子点的方法。这种方法可用简单的Cd化合物如氧化镉、醋酸镉等和硒粉作原料，在宽松温和的条件下制备不同粒径的CdSe量子点。此方法可避免使用现有技术中广泛采用的氧化三辛基膦(TOPO)、十六胺(HDA)、三丁基膦(TBP)等极易燃、易爆、昂贵或毒性大的化合物。且该方法操作安全、简单易行、成本低、重复性好。所得产物均一、粒径可控且单分散性很好，还有非常优异的荧光性质及稳定性，并且荧光强度高、荧光寿命长、量子产率高、光稳定性和耐光漂白性好。合成的CdSe量子点可作为荧光标记物质、光发射器件、激光等领域，通过表面修饰后可用于生物及医学检测与分析。

基本信息

专利标题：

CdSe量子点的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1789372A

申请号：

CN200510120546.1

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-12-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

庞代文徐昊彭俊张志凌田智全朱小波毛蒙

申请人：

武汉大学;武汉珈源量子点技术开发有限公司

申请人地址：

430072湖北省武汉市武昌珞珈山

代理机构：

武汉华旭知识产权事务所

代理人：

刘荣

优先权：

CN200510120546.1

主分类号：

C09K11/54

IPC分类号：

C09K11/54