量子点层及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种量子点层及其制备方法。该量子点层的制备方法，通过形成具有从侧壁向内部延伸孔洞的二氧化硅模板中间相，将量子点反应源气体和还原性气体脉冲通入孔洞中，进行化学吸附反应，使量子点逐步生成并填充在孔洞中；并在化学吸附反应的同时煅烧去除模板，从而孔洞越来越大，量子点填充量越来越多，最终在完全去除模板时，二氧化硅模板中间相形成具有六方孔道结构的多孔二氧化硅框架，使量子点高效均匀地填充在孔道中，从而获得可以有序调节与控制量子点排布情况及量子点大小的量子点层，使量子点层能够实现发光颜色均匀性的调控，提高光源利用率，并扩宽色域，实现更好的发光颜色显示效果。

基本信息

专利标题：

量子点层及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109705853A

申请号：

CN201910154969.7

公开（公告）日：

2019-05-03

申请日：

2019-03-01

授权号：

CN109705853B

授权日：

2022-04-22

发明人：

卓恩宗杨凤云

申请人：

惠科股份有限公司

申请人地址：

广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋，九州阳光1号厂房5、7楼

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

李文渊

优先权：

CN201910154969.7

主分类号：

C09K11/59

IPC分类号：

C09K11/59