双面Si基AlGaN探测器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种双面Si基AlGaN探测器及其制备方法。上述双面Si基AlGaN探测器包括Si基衬底、缓冲层、AlGaN非掺杂层、BOX掩埋层、顶层Si基薄膜层、第一电极和第二电极。通过缓冲层，改善了AlGaN探测器结构及Si探测器结构的结合效果，实现了双面Si基AlGaN探测器，相比单一Si探测器或单一AlGaN日盲探测器来说扩大了探测波长范围。实现了混合波长的实时探测，节省了成本，有利于Si基集成的发展。
基本信息
专利标题 ：
双面Si基AlGaN探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284377A
申请号 ：
CN202111679021.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张怡静陈明王建明闫大鹏
申请人 ：
武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新大道999号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
白雪
优先权 ：
CN202111679021.7
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/18 H01L27/144
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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