紫外光电探测器的制备方法及紫外光电探测器
授权
摘要
本发明适用于光探测器技术领域，提供了一种紫外光电探测器的制备方法及紫外光电探测器，该制备方法包括：在预设衬底上依次生长缓冲层、P型欧姆接触层、倍增层、电荷层、吸收层以及N型欧姆接触层；光刻刻蚀倍增层、电荷层、吸收层以及N型欧姆接触层，分别在P型欧姆接触层上、电荷层上以及吸收层上形成台面结构；在P型欧姆接触层以及N型欧姆接触层上分别淀积形成接触电极；在P型欧姆接触层上、电荷层上以及吸收层上形成的台面结构的表面进行钝化膜淀积钝化，并光刻刻蚀接触电极上的钝化膜以露出电极，获得紫外光电探测器。本发明中P型欧姆接触层的接触面积大大增加，可有效减小接触电阻。
基本信息
专利标题 ：
紫外光电探测器的制备方法及紫外光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110690323A
申请号 ：
CN201910948825.9
公开（公告）日 ：
2020-01-14
申请日 ：
2019-10-08
授权号 ：
CN110690323B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
侯钧杰尹顺政
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
秦敏华
优先权 ：
CN201910948825.9
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0352 H01L31/107
相关图片
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-02-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20191008
申请日 : 20191008
2020-01-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN110690323A.PDF
PDF下载
