基于ZnO/SnOx异质结的紫外光...
实质审查的生效
摘要
基于ZnO/SnOx异质结的紫外光电探测器，涉及紫外光电探测器，尤其涉及ZnO与SnOx复合薄膜的紫外光电探测器的制备方法。本发明探测器由下至上，分别为石英基底、ITO底部电极、ZnO薄膜和SnOx薄膜及Al电极。本发明使用射频磁控溅射的方法制备ZnO和SnOx薄膜，射频磁控溅射法相比于其它制备方法，具有工艺简单，成本低廉，成膜均匀且薄膜附着力好等优点。该方法在简单的设备和工艺流程下，实现了在紫外波段的高性能原型光电探测器的制备。使用管式炉退火的方式，使制备出来的非晶态薄膜转变为多晶态，提高了结晶性。
基本信息
专利标题 ：
基于ZnO/SnOx异质结的紫外光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497272A
申请号 ：
CN202111525696.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐利斌王方贾梦涵项金钟王茺靳映霞
申请人 ：
昆明物理研究所
申请人地址 ：
云南省昆明市五华区教场东路31号
代理机构 ：
昆明祥和知识产权代理有限公司
代理人 ：
和琳
优先权 ：
CN202111525696.6
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/109 C23C14/08 C23C14/10 C23C14/18 C23C14/24 C23C14/35 C23C14/58
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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