一种基于TaIrTe4/Si异质结...
公开
摘要
本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种基于TaIrTe4/Si异质结的的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器是基于TaIrTe4/Si异质结的光电探测器，其结构为顶电极/TaIrTe4/Si异质结/板底电极，所述TaIrTe4/Si异质结是在Si/SiO2衬底上蚀刻Si窗口，使TaIrTe4纳米片与Si充分接触得到，在TaIrTe4/Si异质结外的TaIrTe4边缘制作顶电极。该器件在808nm照射下表现出光响应度、检测率高和快速响应速度。实现了从325nm到1550nm的宽带敏感检测区域，光开关曲线稳定且重现性好，可为Weyl半金属二维材料在光电子器件应用中的发展开辟新途径。
基本信息
专利标题 ：
一种基于TaIrTe4/Si异质结的光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300555A
申请号 ：
CN202111495137.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张黎韩晓宁张诗豪
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区石牌中山大道西55号
代理机构 ：
广东广信君达律师事务所
代理人 ：
彭玉婷
优先权 ：
CN202111495137.5
主分类号 ：
H01L31/0336
IPC分类号 ：
H01L31/0336 H01L31/109 H01L31/18
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
