一种异质结电池及其制备方法
公开
摘要
一种异质结电池及其制备方法，异质结电池的制备方法包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层的至少一侧表面形成隧穿介质膜，所述隧穿介质膜中具有若干微孔；在所述隧穿介质膜背离所述半导体衬底层的一侧表面形成掺杂半导体层。所述异质结电池的制备方法可以使异质结电池的寄生光吸收降低，导电性提高，进而提高异质结电池的转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种异质结电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583015A
申请号 ：
CN202210307002.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐晓华龚道仁周肃张鑫义于长悦
申请人 ：
安徽华晟新能源科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省宣城市宣城经济技术开发区安徽省宣城经济技术开发区科技园
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
周淑歌
优先权 ：
CN202210307002.X
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/072
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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