一种异质结太阳电池及其制备方法和应用
公开
摘要
本发明提供一种异质结太阳电池及其制备方法和应用，所述制备方法包括：在设有透明导电层的硅基板上以3,4‑乙烯二氧噻吩和苯乙烯磺酸类单体的组合作为单体进行聚合，得到高分子导电膜；在所述高分子导电膜上电化学沉积锡铜合金层，形成金属栅线，得到异质结太阳电池。本发明以电化学沉积工艺制备锡铜合金栅线，显著降低制造成本，并使金属栅线具有更好的导电性和稳定性，无需再设置外层的保护层。所述制备方法采用原位聚合的方式形成PEDOT:PSS高分子导电膜，其作为透明导电层与金属栅线的结合层，能够有效提高导电性和可镀性，并防止激光刻蚀中对TCO的损伤，防止铜离子向电池迁移，有效提升了异质结太阳电池的综合性能。
基本信息
专利标题 ：
一种异质结太阳电池及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597270A
申请号 ：
CN202210496893.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-05-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡磊施利君屠金玲蒋新
申请人 ：
苏州晶洲装备科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市常熟市辛庄镇新阳大道136号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
赵颖
优先权 ：
CN202210496893.8
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/072 C08F212/14 C08F234/00
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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