一种高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法
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摘要
本发明提供了一种高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，依次包括以下步骤：1)清洗硅片；2)制备中间层薄膜；3)氧化退火；4)制备AZO薄膜；5)制备背电极；6)安装掩模板；7)制备前电极；8)移除掩模板；9)还原退火，形成太阳能电池，p‑Si/n‑ZnO结构的太阳能电池以硅片作为衬底，中间层薄膜，正面N型AZO薄膜，前电极和背电极，各太阳能电池结构均采用磁控溅射技术，工艺简单，成本低，操作方便；采用的界面修饰方法简单，工艺过程及手段，操作方便，成本低；采用该界面修饰方法后能提高Si/ZnO异质结太阳电池转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110867500A
申请号 ：
CN201910994256.1
公开（公告）日 ：
2020-03-06
申请日 ：
2019-10-18
授权号 ：
CN110867500B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
杨平刘志响
申请人 ：
江苏大学
申请人地址 ：
江苏省镇江市京口区学府路301号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201910994256.1
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0336 H01L31/074 H01L31/0224
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-03-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20191018
申请日 : 20191018
2020-03-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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