一种异质结电池的处理方法
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摘要
本发明提供一种异质结电池的处理方法。所述的异质结电池的处理方法包括：提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。所述异质结电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复，避免了异质结电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。
基本信息
专利标题 ：
一种异质结电池的处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613882A
申请号 ：
CN202210250868.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程尚之周肃龚道仁符欣
申请人 ：
安徽华晟新能源科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省宣城市宣城经济技术开发区清流路99号
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛异荣
优先权 ：
CN202210250868.1
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0747
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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