异质结太阳能电池及其制作方法
公开
摘要
本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及的异质结太阳能电池包括：硅衬底，依次层叠设置于硅衬底受光面的第一本征层、第一掺杂层，以及依次层叠设置于硅衬底背光面的第二本征层、掺杂类型与第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层；第一本征层包括设置于硅衬底受光面的至少一层本征非晶硅膜及设置于最外层本征非晶硅膜外表面的本征非晶氧化硅膜，第二本征层包括设置于硅衬底背光面的至少一层本征微晶硅膜及设置于最外层本征微晶硅膜外表面的本征微晶氧化硅膜；本发明中受光面一侧的第一本征层具有较优的透光率，而背光面一侧的第二本征层具有较优的导电性，两者综合能够有效提高异质结太阳能电池的性能。
基本信息
专利标题 ：
异质结太阳能电池及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628533A
申请号 ：
CN202011356760.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚远洲吴坚蒋方丹
申请人 ：
嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋启超
优先权 ：
CN202011356760.8
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/074 H01L31/20
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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