异质结太阳能电池及其制作方法
公开
摘要
本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及的异质结太阳能电池包括包括：硅衬底，依次层叠设置于硅衬底第一表面侧的第一本征层、第一掺杂层，以及依次层叠设置于硅衬底第二表面侧的第二本征层、掺杂类型与第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层；第一本征层与第二本征层均包括至少两层依次层叠设置的本征非晶硅膜，且在硅衬底的每一表面侧，靠近硅衬底的本征非晶硅膜的晶化率小于远离硅衬底的本征非晶硅膜的晶化率；基于本发明中第一本征层与第二本征层的设计方式，可以使得第一本征层与第二本征层在对硅衬底具有最优钝化效果的同时，还能分别与相应的掺杂层之间具有较好的导电性，进而提高异质结太阳能电池的综合性能。
基本信息
专利标题 ：
异质结太阳能电池及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566561A
申请号 ：
CN202011356703.X
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚远洲吴坚蒋方丹
申请人 ：
嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋启超
优先权 ：
CN202011356703.X
主分类号 ：
H01L31/074
IPC分类号 ：
H01L31/074 H01L31/18
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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