异质结太阳能电池及其制作方法
公开
摘要
本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池具有分别设置于硅衬底受光面第一掺杂层与背光面第二掺杂层，第一掺杂层与第二掺杂层中的至少一个包含有至少两层层叠设置的掺杂膜，相邻两掺杂膜中，远离硅衬底的掺杂膜的掺杂浓度大于靠近硅衬底的掺杂膜的掺杂浓度；本发明中，第一掺杂层或/和第二掺杂层中靠近硅衬底的掺杂膜由于具有较低掺杂浓度，能够最大程度降低掺杂原子进入相应本征非晶层中，进而可以降低相应本征非晶层的缺陷密度；第一掺杂层或/和第二掺杂层中远离硅衬底的掺杂膜由于具有较高掺杂浓度，有利于场钝化，还能降低第一掺杂层或/和第二掺杂层与相应外层之间的接触电阻。
基本信息
专利标题 ：
异质结太阳能电池及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628543A
申请号 ：
CN202011356701.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴华德姚铮陈曦吴坚蒋方丹
申请人 ：
嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋启超
优先权 ：
CN202011356701.0
主分类号 ：
H01L31/074
IPC分类号 ：
H01L31/074 H01L31/0216 H01L31/18
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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