一种硅基异质结太阳能电池制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池制备方法，所述方法包括以下步骤：提供一种N型单晶硅片；化学抛光：处理硅片机械损伤层，去除硅片表面杂质；在硅片表面通过扩散形成一层磷扩散层与PSG层；腐蚀清洗：去除硅片表面的PSG层；制绒清洗：在硅片表面形成金字塔绒面；在硅片其中一面形成本征非晶硅层与N型非晶硅层，另一面形成本征非晶硅层与P型非晶硅层；在硅片正背面沉积透明导电膜层；在硅片正背面形成金属栅线电极。本发明在制绒清洗前对硅片进行磷扩散、高温氧化处理，大幅改善了硅片内部晶格缺陷，减少了硅片内部的碳、硫以及金属等杂质，从而提升了硅片的体少子寿命，改善了硅片沉积非晶硅后的界面钝化，进而提升了电池的转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基异质结太阳能电池制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388640A
申请号 ：
CN202011133338.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许志
申请人 ：
福建新峰二维材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市台商投资区东园镇东经2路办公路
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011133338.6
主分类号 ：
H01L31/0236
IPC分类号 ：
H01L31/0236 H01L31/0224 H01L31/074 H01L31/18
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0236
申请日 : 20201021
申请日 : 20201021
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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