一种基于异质结结构的高性能光电探测器的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于异质结结构的高性能光电探测器的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种基于异质结结构的高性能光电探测器的制备方法，解决现有现有单层材料因低光吸收和弱电流承载能力限制了其在光电领域应用的问题。其基于WSe2和多层直接带隙In2Se3组成的异质结探测器可以实现良好的光电性能，同时也可以在没有外加偏压的条件下工作。本发明适用于基于异质结结构的高性能光电探测器的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
一种基于异质结结构的高性能光电探测器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361296A
申请号 ：
CN202210013740.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
巫江邹吉华任翱博沈凯
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都聚蓉众享知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘艳均
优先权 ：
CN202210013740.3
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/032 H01L31/0224 H01L31/109
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
