一种高性能光电探测器的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种高性能光电探测器的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种高性能光电探测器的制备方法，解决现有二硒化钼光电探测器存在结构缺陷、不稳定性、低光响应的问题。其采用有效的O2等离子体处理来制备用于可见光和近红外探测的多层MoSe2光电探测器，经O2等离子体处理的MoSe2表现出显著改善的性能，在MoSe2内部产生强大的内建电场，有效地抑制了光载流子的复合，明显提升光电性能。本发明适用于高性能二硒化钼光电探测器的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
一种高性能光电探测器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497279A
申请号 ：
CN202210036065.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
巫江黄一轩任翱博沈凯
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都聚蓉众享知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘艳均
优先权 ：
CN202210036065.6
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/02 H01L31/032 H01L31/09
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
