铁电-半导体异质结型日盲紫外光电探测器及其制备方法
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摘要
本发明提供了一种铁电‑半导体异质结型日盲紫外光电探测器及其制备方法，该探测器包括：衬底；Ga2O3薄膜层；HfxZr1‑xO2薄膜层；顶电极。本发明的探测器，HfxZr1‑xO2是一种铁电材料，具有非常宽的光学带隙和高的介电常数，HfxZr1‑xO2和Ga2O3之间形成异质结，通过异质结界面的内建电场来分离光生载流子；同时HfxZr1‑xO2铁电层的自发极化作用，使其内部存在一个自发极化电场，自发极化电场与Ga2O3/HfxZr1‑xO2异质结内建电场的耦合作用共同促进光生载流子分离，从而实现器件性能的提升；此外，HfxZr1‑xO2层对背景载流子具有很好的阻挡作用，可以大幅降低器件的暗电流。
基本信息
专利标题 ：
铁电-半导体异质结型日盲紫外光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114122187A
申请号 ：
CN202111423937.6
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN114122187B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
何云斌杨高琛陈剑卢寅梅黎明锴王紫慧毛佳兴程盈盈
申请人 ：
湖北大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
代理机构 ：
北京金智普华知识产权代理有限公司
代理人 ：
张文俊
优先权 ：
CN202111423937.6
主分类号 ：
H01L31/109
IPC分类号 ：
H01L31/109 H01L31/0336 H01L31/0224 H01L31/18
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/109
申请日 : 20211126
申请日 : 20211126
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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