硅量子点光伏异质结制备方法
实质审查的生效
摘要
硅量子点光伏异质结制备方法，涉及光电技术领域，尤其是一种硅量子点薄膜的制备技术。本发明的方法采用射频磁控溅射高纯石墨，直流磁控溅射n型硅共溅射在衬底上，溅射后退火处理形成硅量子点光伏异质结薄膜。与现有制备技术相比，本发明采用的是低成本的磁控溅射法制备硅量子点薄膜，很好的降低了制备成本、绿色环保、且薄膜可控性强、均匀性好。通过选择合适的半导体衬底材料，即可制备成具有光伏特性的硅量子点异质结，在光电子领域具有很大的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
硅量子点光伏异质结制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497275A
申请号 ：
CN202111641234.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐利斌方莉媛张玉平项金钟
申请人 ：
昆明物理研究所
申请人地址 ：
云南省昆明市五华区教场东路31号
代理机构 ：
昆明祥和知识产权代理有限公司
代理人 ：
和琳
优先权 ：
CN202111641234.0
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/109 C23C14/16 C23C14/35 C23C14/58
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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