一种基于二硒化铂和硅的异质结结构及光电探测器、及其制备方...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种一种基于二硒化铂和硅的异质结结构及光电探测器、及其制备方法，该异质结结构及其光电探测器在PtSe2和Si层之间存在一薄层的绝缘层，该绝缘层作为电荷阻挡层或隧穿层可以调控电荷输运特性。为了进一步提高光电探测器的特性，本发明还公开了在该异质结结构的二硒化铂层上制备金属纳米颗粒层，从而形成金属纳米颗粒/二硒化铂/绝缘层/硅的异质结结构。该异质结及其光电探测器的制备方法简单、成本低，兼容硅工艺，制备成本低。由该异质结结构组成的光电探测器具有可零偏压驱动、高响应率、高探测率、高开关比、低暗电流、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，这为新一代硅基光电探测器铺平了道路。
基本信息
专利标题 ：
一种基于二硒化铂和硅的异质结结构及光电探测器、及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420784A
申请号 ：
CN202111434252.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐明生叶鹏
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州坚果知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张剑英
优先权 ：
CN202111434252.1
主分类号 ：
H01L31/109
IPC分类号 ：
H01L31/109 H01L31/0216 H01L31/18 B82Y30/00
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/109
申请日 : 20211129
申请日 : 20211129
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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