一种宽光谱硅基-硫化钼异质结光电探测器的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的方法包括如下步骤：先利用温和等离子体技术处理硅基衬底表面的SiO2层，使得SiO2层的厚度在50～100nm，得到预处理的衬底；利用机械剥离技术得到少层的MoS2薄膜；之后通过干法转移技术将MoS2薄膜转移至预处理的衬底表面，得到硅基MoS2异质结；最后利用光刻技术刻出器件结构，蒸镀电极，得到所述的宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器兼有响应时间短、高光电响应度、宽光谱探测范围的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种宽光谱硅基-硫化钼异质结光电探测器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300575A
申请号 ：
CN202111597763.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
南海燕王成林肖少庆顾晓峰
申请人 ：
江南大学
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
代理机构 ：
哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄婵娟
优先权 ：
CN202111597763.5
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 C23C14/04 C23C14/16 C23C14/24 C23C14/30 H01L31/109
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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