硅基肖特基光电探测器、及其制备方法和应用
公开
摘要
本发明提供了一种硅基肖特基光电探测器，及其制备方法和应用。本发明的光电探测器能能够在增加肖特基势垒抑制暗电流的同时尽量降低对光吸收的影响，在大幅抑制暗电流的同时保证器件较大的响应度，有效增加电极透光性能，从而获得兼容CMOS工艺的超低暗电流高响应度硅基近红外探测器。
基本信息
专利标题 ：
硅基肖特基光电探测器、及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497266A
申请号 ：
CN202011148406.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈弘李欣欣邓震贾海强王文新
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘丹妮
优先权 ：
CN202011148406.6
主分类号 ：
H01L31/108
IPC分类号 ：
H01L31/108 H01L31/0224 H01L31/18
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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