一种肖特基型钙钛矿光电探测器及其制备方法
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摘要
本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种肖特基型钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中肖特基型钙钛矿光电探测器包括依次相连的第一金属电极(1)、钙钛矿吸光层(2)、聚酰亚胺PI层(3)和第二金属电极(4)，其中，所述第一金属电极(1)所采用的金属材料功函数较高，所述第二金属电极(4)所采用的金属材料功函数较低。本发明通过肖特基势垒对暗电流有很好的抑制作用；同时又通过在钙钛矿表面旋涂一层聚酰亚胺(PI)薄膜，利用聚酰亚胺(PI)薄膜的对于钙钛矿表面的钝化和阻挡金属与钙钛矿的反应作用来降低钙钛矿光电探测器暗电流和离子迁移，从而有效的抑制钙钛矿光电探测器工作时的暗电流过大和暗电流漂移问题。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基型钙钛矿光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112467035A
申请号 ：
CN202011310022.X
公开（公告）日 ：
2021-03-09
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
CN112467035B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
牛广达杜鑫源唐江逄锦聪潘伟程朱劲松
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
华中科技大学专利中心
代理人 ：
许恒恒
优先权 ：
CN202011310022.X
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/44 H01L51/46 H01L51/48
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/42
申请日 : 20201120
申请日 : 20201120
2021-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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