钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种钙钛矿薄膜，其包含有钙钛矿半导体化合物，所述钙钛矿半导体化合物的化学式为ABX3，在所述钙钛矿薄膜中添加有改性化合物，所述改性化合物与钙钛矿半导体化合物结合形成络合物结构，可以调节钙钛矿晶体的生长过程，获得均匀、致密的钙钛矿薄膜，从而提高钙钛矿太阳能电池的光电转换性能和长期稳定性。所述改性化合物为4‑碘吡唑。本发明还公开了包含有该钙钛矿薄膜的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明有效的调控钙钛矿的结晶行为，得到均匀致密、结晶度高的钙钛矿薄膜，方法简单，成本低。
基本信息
专利标题 ：
钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111162172A
申请号 ：
CN201811323274.9
公开（公告）日 ：
2020-05-15
申请日 ：
2018-11-08
授权号 ：
CN111162172B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
杭州纤纳光电科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区仓前街道龙潭路7号B幢209室
代理机构 ：
杭州奥创知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨文华
优先权 ：
CN201811323274.9
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48
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法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-06-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/42
申请日 : 20181108
申请日 : 20181108
2020-05-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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