钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、光电器件

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摘要

本发明涉及制备光电材料技术领域，具体涉及一种钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、光电器件。该钙钛矿薄膜的制备方法，包括如下步骤：钙钛矿前驱液在基底上形成钙钛矿前驱液液膜，钙钛矿前驱液包含第一溶剂和钙钛矿前驱材料；将混合气体或气溶胶送入风刀，干燥，制得钙钛矿干膜，混合气体包括第二溶剂的蒸汽，气溶胶包括第二溶剂及第二溶剂的蒸汽，第二溶剂与第一溶剂具有互溶性；将钙钛矿干膜进行退火处理，制得钙钛矿薄膜。将反溶剂法与风刀吹气法有合起来，促进钙钛矿材料形核生长，从而制备出结晶均匀、无孔洞、高质量的钙钛矿薄膜。

基本信息

专利标题：

钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、光电器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113991027A

申请号：

CN202111593199.X

公开（公告）日：

2022-01-28

申请日：

2021-12-24

授权号：

CN113991027B

授权日：

2022-05-03

发明人：

徐觅黄福志程一兵

申请人：

佛山仙湖实验室

申请人地址：

广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区阳光路3号仙湖湾商业广场C座内C1号办公室

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司

代理人：

肖荟萃

优先权：

CN202111593199.X

主分类号：

H01L51/48

IPC分类号：

H01L51/48 H01L51/46 H01L51/42