台面式硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及制备方法
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摘要
本发明提供了一种台面式硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及制备方法，包括：负电极部件(4)、衬底部件、吸收层部件(3)、阻挡层部件、金属光栅部件(2)以及正电极部件(1)；所述正电极部件(1)设置于阻挡层部件上方；所述吸收层部件(3)设置于正电极部件(1)下方；所述负电极部件(4)设置于衬底部件下侧；所述金属光栅部件(2)设置于阻挡层部件上方；所述正电极部件(1)包括：正电极接触区构件(101)；所述正电极接触区构件(101)设置于正电极部件(1)的下部。本发明基于亚波长金属光栅的等离激元共振效应，利用金属等离激元的近场局域特性，当降低吸收层的厚度时，保持器件吸收层的有效吸收效率。
基本信息
专利标题 ：
台面式硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111653636A
申请号 ：
CN202010404348.2
公开（公告）日 ：
2020-09-11
申请日 ：
2020-05-13
授权号 ：
CN111653636B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
陈雨璐童武林王兵兵王晓东刘文辉陈栋
申请人 ：
上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请人地址 ：
上海市普陀区武宁路423号
代理机构 ：
上海段和段律师事务所
代理人 ：
李佳俊
优先权 ：
CN202010404348.2
主分类号 ：
H01L31/0232
IPC分类号 ：
H01L31/0232 H01L31/0352 H01L31/103 H01L31/18 G02B5/00
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0232
申请日 : 20200513
申请日 : 20200513
2020-09-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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