一种基于阻挡杂质带MSM型探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于阻挡杂质带MSM型探测器，从上至下依次包括金属受光面电极、钝化层、半导体光吸收层、缓冲层/绝缘层及支撑衬底，所述金属受光面电极下端设置金属‑半导体接触层，所述金属‑半导体接触层被离子掺杂杂质阻挡带包围。所述金属‑半导体接触层形成了肖特基接触，具有一定高度的肖特基势垒；离子掺杂杂质阻挡带进一步增强了肖特基势垒，降低了暗电流，可以有效减小半导体光吸收层的掺杂浓度和光生载流子效率，增大器件光响应。
基本信息
专利标题 ：
一种基于阻挡杂质带MSM型探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021941180.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-08
授权号 ：
CN213401224U
授权日 ：
2021-06-08
发明人 ：
李国强陈胜王文樑刘红斌柴吉星郑昱林唐鑫孙佩椰
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
王东东
优先权 ：
CN202021941180.0
主分类号 ：
H01L31/108
IPC分类号 ：
H01L31/108 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2021-06-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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