一种宽度渐变的硅基探测器及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种宽度渐变的硅基探测器，包括：SOI衬底，包括:底部硅材料层，二氧化硅填埋层，顶层硅，顶层硅上形成波导层；n型轻掺杂区，形成在波导层上；n型重掺杂区，形成在n型轻掺杂区的两侧；光吸收层，形成在n型轻掺杂区上，光吸收层的部分上表面形成有光吸收层p型重掺杂区；二氧化硅窗口层，形成在顶层硅和波导层上，与波导层对应的二氧化硅窗口层上开设有外延窗口；与n型重掺杂区对应的二氧化硅窗口层和绝缘介质层上开设有第一电极窗口；与光吸收层p型重掺杂区对应的绝缘介质层上开设有第二电极窗口；n电极，形成在第一电极窗口上；p电极，形成在第二电极窗口上；光吸收层在靠近光入射端的宽度大于在远离光入射端的宽度。
基本信息
专利标题 ：
一种宽度渐变的硅基探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113488557A
申请号 ：
CN202110764252.1
公开（公告）日 ：
2021-10-08
申请日 ：
2021-07-06
授权号 ：
CN113488557B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘智成步文郑军薛春来
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
鄢功军
优先权 ：
CN202110764252.1
主分类号 ：
H01L31/075
IPC分类号 ：
H01L31/075 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-10-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/075
申请日 : 20210706
申请日 : 20210706
2021-10-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
