一种硅基光电探测器
授权
摘要
本实用新型属光电领域，公开了一种硅基光电探测器，可用于紫外波段、可见光波段、近红外波段，所述的硅基光电探测器为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括正面金属薄膜层、无序纳米碗阵列化硅基底、背面金属薄膜层。正面金属薄膜和无序纳米碗阵列层的复合结构可以显著抑制200～2500nm波段范围内的光反射，硅基底背面的金属薄膜近乎完全反射到达硅基底界面的光子，使得器件整体的透射率接近零。本方案可以在室温、无外加偏压下对紫外至近红外波段的光子实现光电响应和有效探测，且对光子的偏振和入射角度不敏感。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022469385.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN213304148U
授权日 ：
2021-05-28
发明人 ：
吴绍龙
申请人 ：
苏州斯特科光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区永安路128号1号楼
代理机构 ：
苏州智品专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王利斌
优先权 ：
CN202022469385.X
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/0352 H01L31/0236 H01L31/108 B82Y10/00
法律状态
2021-05-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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