CMOS硅双光电探测器
专利权的终止
摘要
CMOS硅双光电探测器，涉及一种光电集成电路，尤其是涉及一种CMOS硅光电探测器。提供一种与商业CMOS工业完全兼容的CMOS硅双光电探测器及其制备方法。设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO2绝缘介质层(按制备顺序从下至上共3层)和Si3N4表面钝化层，其中P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片材料上，场氧层为对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅，金属铝为通过溅射工艺沉积在硅片表面，SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
基本信息
专利标题 ：
CMOS硅双光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773712A
申请号 ：
CN200510118918.7
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈朝卞剑涛
申请人 ：
厦门大学
申请人地址 ：
361005福建省厦门市思明南路422号
代理机构 ：
厦门南强之路专利事务所
代理人 ：
马应森
优先权 ：
CN200510118918.7
主分类号 ：
H01L27/14
IPC分类号 ：
H01L27/14
法律状态
2012-12-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101371717946
IPC(主分类) : H01L 27/14
专利号 : ZL2005101189187
申请日 : 20051026
授权公告日 : 20080220
终止日期 : 20111026
号牌文件序号 : 101371717946
IPC(主分类) : H01L 27/14
专利号 : ZL2005101189187
申请日 : 20051026
授权公告日 : 20080220
终止日期 : 20111026
2008-02-20 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
