一种硅基环形多波段探测器及其制作方法
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摘要
本发明提出一种硅基环形多波段探测器及其制作方法，所述硅基环形多波段探测器自下而上依次为下电极8，P‑硅衬底1，禁带宽度为Eg1的N+硅层2，N+氮化物层3，i‑氮化物层4，禁带宽度为Eg2的P+氮化物层5，上电极6，其中Eg2>Eg1；其中所述上电极6位于所述P+氮化物层5端部，中电极7位于所述N+硅层2上靠近端部位置且覆盖部分所述N+氮化物层3端部；所述中电极7和上电极6为环状结构。利用p‑i‑n结二极管实现对日盲紫外波段的探测，利用p‑硅衬底和N+硅衬底形成pn结，实现可见光波段的探测，从而实现了单个器件能够探测两个波段的效果，可大幅缩小探测器的体积，降低制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基环形多波段探测器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111628013A
申请号 ：
CN202010035419.6
公开（公告）日 ：
2020-09-04
申请日 ：
2020-01-14
授权号 ：
CN111628013B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
万景刘冉叶怀宇张国旗
申请人 ：
深圳第三代半导体研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
阎冬
优先权 ：
CN202010035419.6
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/0336 H01L31/105 H01L31/18
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-09-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0224
申请日 : 20200114
申请日 : 20200114
2020-09-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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