本发明提供了一种深紫外光电探测器及其制备方法和应用，属于光电探测技术领域。本发明提供的深紫外光电探测器，包括介质绝缘衬底、设置在介质绝缘衬底表面的光敏层以及设置在光敏层相对的两端的两个电极；所述光敏层包括六方氮化硼薄膜以及附着在六方氮化硼薄膜部分表面上的表面等离激元结构，所述六方氮化硼薄膜与介质绝缘衬底接触，其中一个电极设置在没有附着表面等离激元结构的六方氮化硼薄膜表面，另一个电极设置在附着有表面等离激元结构的六方氮化硼薄膜表面；所述表面等离激元结构包括金属纳米颗粒或半导体纳米结构。本发明提供的深紫外光电探测器暗电流极低，对深紫外光响应度大。