六方氮化硼紫外光探测器及制备方法
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摘要
一种六方氮化硼紫外光探测器及制备方法，该六方氮化硼紫外光探测器包括：衬底；绝缘层，形成于衬底的一表面上，并在绝缘层的中间区域设置有延伸至衬底的窗口，露出衬底；第一石墨烯层，形成于绝缘层上，且覆盖绝缘层上窗口的内表面以及窗口的外周区域；六方氮化硼层，原位形成于第一石墨烯层上；第二石墨烯层，原位形成于六方氮化硼层上；正面电极，形成于窗口之外的第二石墨烯层上；以及背面电极，形成于衬底的另一表面上。本发明采用离子束辅助设备原位生长石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结，可减小异质结界面污染和缺陷，可保证器件具有高的响应速度及响应度，同时采用纵向器件结构，提高器件的集成度。
基本信息
专利标题 ：
六方氮化硼紫外光探测器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111244222A
申请号 ：
CN202010063708.7
公开（公告）日 ：
2020-06-05
申请日 ：
2020-01-20
授权号 ：
CN111244222B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
张兴旺刘恒王烨尹志岗
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴梦圆
优先权 ：
CN202010063708.7
主分类号 ：
H01L31/11
IPC分类号 ：
H01L31/11 H01L31/0336 H01L31/0352 H01L31/18
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法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-06-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/11
申请日 : 20200120
申请日 : 20200120
2020-06-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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