一种氮化硼晶体及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种氮化硼晶体，所述氮化硼晶体的空间群为IM‑3，晶格参数a=b=c=14.034（±0.5%），晶体结构是具有大直径纳米孔的拓扑结构。该氮化硼晶体物理特性较好。本发明还提供上述氮化硼晶体的制备方法，废液产生率低，过程中杂质少，且原料丰富，成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化硼晶体及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293259A
申请号 ：
CN202111472054.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邢孟江樊庆扬代传相邢孟道刘永红
申请人 ：
电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请人地址 ：
浙江省湖州市西塞山路819号南太湖科技创新综合体B2幢8层
代理机构 ：
北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王婷婷
优先权 ：
CN202111472054.4
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B1/12 C30B28/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
