氮化硼坩埚模具、制备方法及脱模方法
授权
摘要
本公开实施例公开了一种氮化硼坩埚模具、制备方法及脱模方法，氮化硼坩埚模具包括：中空的基体，所述基体包括主体、与所述主体可拆卸连接的底部和与所述主体可拆卸连接的头部，所述头部具有连通所述基体内部的通孔，所述通孔远离所述主体的一端具有内螺纹，所述头部具有连通所述通孔的排气孔；表层，其包覆于所述基体的外表面。本公开实施例的氮化硼坩埚模具能够提升坩埚质量。
基本信息
专利标题 ：
氮化硼坩埚模具、制备方法及脱模方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114196923A
申请号 ：
CN202210149841.3
公开（公告）日 ：
2022-03-18
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
CN114196923B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
何军舫王军勇
申请人 ：
北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司;博宇（天津）半导体材料有限公司;博宇（朝阳）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区张家湾镇云杉路7号
代理机构 ：
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈超
优先权 ：
CN202210149841.3
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/06 C23C14/58 C30B23/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2022-04-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/24
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-03-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
